高真空磁控溅射镀膜设备（圆形平面靶，柜式一体机）
产品介绍
高真空磁控溅射镀膜设备主要是用圆形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。也可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。
主要特点
- 基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
- 磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精准调控。
- 工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
- 样品台可增加偏压装置，用于深孔镀膜，可调控镀膜质量。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-PVD-460SC |
| 基片尺寸 | 4"~8" |
| 磁控靶尺寸 | 2"~6" |
| 磁控靶数量 | 1个～3个，圆形平面靶 |
| 腔体材质 | 304/316（选配）不锈钢，电解抛光 |
| 真空系统 | 分子泵+机械泵（可选配，干泵） |
| 极限真空 | 5X10-5Pa |
| 恢复工作背景真空 | 大气至7×10-4Pa，30分钟左右 |
| 设备总体漏放率 | 关机12小时真空度≤8Pa |
| 溅射方向 | 由下向上/由上向下（由用户指定） |
| 溅射方式 | 单靶溅射、多靶轮流溅射、多靶共溅射 |
| 工艺电源 | 射频、中频、HIPIMS高能脉冲、直流脉冲、直流溅射电源 |
| 基片台 | 加热600℃、旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配） |
| 膜厚均匀性 | 优于±3% |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 工艺气体 | 3路（N2、Ar、O2） |
| 基片台偏压 | 可选配 |
| 等离子清洗源 | 可选配 |
| 膜厚监控 | 可选配 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω |
| 功率 | 根据设备规模配置，峰值功率（5KW~10KW） |
| 冷却水 | ≤100L/min |
| 水压 | 0.1Mpa~0.15MPa |
| 水温 | 18℃～25℃ |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
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