LPCVD（低压化学气相沉积）设备配置一套独立工艺炉管，支持 SiH₄ / NH₃ / N₂O / N₂ / Ar 等工艺气体。通过真空泵营造低压环境，实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的精密沉积。该设备主要应用于科研院所、高校及工矿企业的实验研究与小批量生产。
LPCVD设备
产品介绍
主要特点
- 炉膛具有良好的温度均匀性、保证工艺温区。
- 控温精度高、保温效果好、温度范围大。
- 工艺气路采用VCR连接，密封性好。
- 具有正负压显示，炉膛超压保护、超温保护，水流水压水温保护，断偶保护。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-LPCVD-200 |
| 最高温度 | 1150°C |
| 工作温度 | ≤1100°C |
| 管数 | 1~2管（可定制） |
| 炉管 | 进口石英；φ100mm~φ200mm，长度：1200mm（可定制） |
| 恒温区长度 | 400mm |
| 控温段数 | 3段；可以三段单独控制 |
| 升温速率 | 1°C/min~10°C/min可调 |
| 恒温区控温精度 | ±1°C |
| 测温精度 | ±1%FS |
| 温控保护 | 具有过温保护，断偶保护，漏电保护（加漏电保护器）等功能 |
| 工件压强范围 | 13Pa~1330Pa |
| 膜层不均匀性 | 优于≤±5% |
| 控温模式 | 控温模式：采用30段程序控温智能PID调节，微电脑控制，可编程式控温曲线，无需看守（全自动升、降、保温） |
| 工艺气体 | SiH4 、NH3 、N2O、N2 |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 控制系统 | PLC+触摸屏 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
| 注：不含尾气处理系统 | |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz |
| 功率 | 约20KW |
| 冷却水 | ≤150L/min |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
电话询价
Your roles
