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小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备

产品介绍

小型单管 LPCVD(低压化学气相沉积)设备在低压高温条件下,通过化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜(主要是 Si₃N₄、SiO₂ 及 Poly 硅薄膜)。该设备广泛用于科学研究、实践教学以及小型器件制造。

小型单管LPCVD设备
主要特点
  • 小型化,方便实验室操作和使用,大幅降低实验成本。
  • 设备为水平卧式结构。
  • 反应室由高纯石英制成,耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用。
  • 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统,量值准确,性能稳定、可靠。
  • 系统提供自动控制无扬尘装置。
技术参数
产品型号 HITSemi-LPCVD-150
基片类型 不规则形状的散片、φ2~φ4英寸标准基片
基片装载数量 标准基片:1片~2片;不规则尺寸散片:若干
基片放置方式 配置三种基片托架:竖直、水平卧式、带倾角
真空系统 机械泵、干泵(可选配)
炉管 石英管ø150mm,长度1200mm
恒温区长度 300mm
最高温度 1100℃
升温速率 0~50℃/min
恒温区控温精度 ≤±1℃
工作压强范围 13Pa~1330Pa
压力控制 闭环充气式控制
膜层均匀性 优于±5%
装片方式 手动进出样品
工艺气体 SiH4 、NH3、N2O、N2
恒温制冷水箱 可选配
空气压缩机 可选配
注:不含尾气处理系统
设备工作条件
供电 三相五线制,AC 380V,50Hz;接地电阻≤1Ω
功率 根据设备规模配置,峰值功率(20KW~30KW)
冷却水 ≤100L/min
水压 0.1Mpa~0.15MPa
水温 18℃~25℃
气动部件供气压力 0.5MPa~0.7MPa
质量流量控制器供气压力 0.05MPa~0.2MPa
工作环境温度 10℃~40℃
工作环境湿度 ≤50%
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