高真空磁控溅射镀膜设备主要是用矩形磁控溅射靶进行溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。也可用于TGV/TSV/TMV 先进封装的研发，高深径比（≥10:1）的深孔金属种子层镀膜。
高真空磁控溅射镀膜设备（矩形靶）
产品介绍
主要特点
- 一机多用，支持平面、圆柱体、碗状/整流罩等多种形状基片镀膜。
- 基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。
- 工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。
- 样品台可增加偏压装置，可用于深孔镀膜；可调控镀膜质量。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-PVD-650SR |
| 基片尺寸 | 平面矩形基片：≤350mm×120mm；单次装载量：4片 运动方式：公转，或单一定位 圆柱体工件：≤φ150×350mm；单次装载量：4片 运动方式：公转+自转，或单一定位自转 圆形基片：≤φ100mm；单次装载量：1片 运动方式：仅自转 |
| 靶材尺寸 | 矩形磁控靶：400mm x100mm 圆形磁控靶：φ3英寸 |
| 磁控溅射靶数量 | 2支~4支（可选配） |
| 适用材料 | 金属、绝缘材料、铁磁材料均可 |
| 腔体材质 | 304/316（选配）不锈钢，电解抛光 |
| 真空系统 | 分子泵+干泵机组 |
| 极限真空 | 8.0X10-5Pa |
| 恢复工作背景真空 | 大气至8.0×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气） |
| 设备总体漏放率 | 关机12小时真空度≤8Pa |
| 溅射方式 | 单独溅射 |
| 工艺电源 | 射频电源、中频电源、HIPIMS高能脉冲电源、直流脉冲电源、直流溅射电源 |
| 基片台加热温度 | φ100mm基片工件台，可加热温度最高约600℃ 其它工件台，可加热温度最高约300℃ |
| 多功能工件台 | 可旋转、可加热、可加偏压 |
| 膜厚均匀性 | 平面基片优于±3%，异形基片根据形状待定 |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 工艺气体 | 3路（N2、Ar、O2） |
| 基片台偏压 | 可选配 |
| 等离子清洗源 | 可选配 |
| 膜厚监控 | 可选配 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω |
| 功率 | 根据设备规模配置，峰值功率（10KW~80KW） |
| 冷却水 | ≤100L/min |
| 水压 | 0.1Mpa~0.15MPa |
| 水温 | 18℃～25℃ |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 18℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
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