小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅、氧化硅和多晶硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅和多晶硅等薄膜的理想工艺设备。
双频技术，采用13.56MHZ射频电源和400KHZ中频电源。
射频电源用于控制等离子体的通量；中频电源用于控制等离子体的能量。
小型PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备
产品介绍
主要特点
- 专门设计的抽气控制系统，可减少颗粒物，等离子清洗和颗粒物清理技术，进一步减少基片表面的颗粒物。
- 双频技术，提高薄膜生长质量和效率。
- 设置吹扫所路，保证气路系统洁净。
- 设备安全性设计，电力系统的检测与保护、设置真空检测与报警保护功能、温度检测与报警保护、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护、工艺气路含防交叉污染装置。
技术参数
| 产品型号 | HITSemi-PECVD-460 |
| 基片尺寸 | 1" ~6" |
| 腔体材质 | 304/316（选配）不锈钢，电解抛光 |
| 真空系统 | 分子泵、机械泵（可选配干泵） |
| 极限真空 | 5×10-5Pa |
| 恢复工作背景真空 | 大气至7×10-4Pa，30分钟左右（新设备充干燥氮气） |
| 设备总体漏放率 | 关机12小时真空度≤8Pa |
| 样品、电极间距 | 5mm～50mm在线可调 |
| 工作控制压强 | 10Pa～1200Pa |
| 单频电源的频率 | 13.56MHz |
| 双频电源的频率 | 13.56MHz/400KHz |
| 工艺电源 | 射频电源、中频电源 |
| 基片台 | 基片台可加热600℃，可旋转2~30转/分钟、可升降、可水冷（选配） |
| 膜厚均匀性 | 优于±5% |
| 控制形式 | 半自动/全自动 |
| 工艺气体 | SiH4、NH3、N2O、N2、O2 |
| 恒温制冷水箱 | 可选配 |
| 空气压缩机 | 可选配 |
| 注：不含尾气处理系统 | |
设备工作条件
| 供电 | 三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω |
| 功率 | 根据设备规模配置，峰值功率（5KW~10KW） |
| 冷却水 | ≤100L/min |
| 水压 | 0.1MPa~0.15MPa |
| 水温 | 18℃～25℃ |
| 气动部件供气压力 | 0.5MPa～0.7MPa |
| 质量流量控制器供气压力 | 0.05MPa～0.2MPa |
| 工作环境温度 | 10℃～40℃ |
| 工作环境湿度 | ≤50% |
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