PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备

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产品介绍

PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

双频技术，采用13.56MHZ射频电源和400KHZ中频电源。

射频电源用于控制等离子体的通量；中频电源用于控制等离子体的能量。

设备用途和功能特点
1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。
2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。
3、配置尾气处理装置。
设备安全性设计
1、电力系统的检测与保护
2、设置真空检测与报警保护功能
3、温度检测与报警保护
4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护

5、工艺气路含防交叉污染装置

设备技术指标

类型	参数
样片尺寸	≤φ8英寸（或多片2英寸）
样片加热台加热温度	室温～ 600℃±0.1℃
真空室极限真空	≤3×10^-5Pa
工作背景真空	≤4×10^-4Pa
设备总体漏放率	停泵12小时后，真空度≤10Pa
样品、电极间距	5mm ～ 50mm在线可调
工作控制压强	10Pa ～ 1500Pa
气体控制回路	根据工艺要求配置
单频电源的频率	13.56MHz
双频电源的频率	13.56MHz/400KHz

工作条件

类型	参数
供电	三相五线制 AC 380V
工作环境温度	10℃～ 40℃
气体阀门供气压力	0.5MPa ～ 0.7MPa
质量流量控制器输入压力	0.05MPa ～ 0.2MPa
冷却水循环量	0.6m³/h 水温18℃～25℃
设备总功率	7kW
设备占地面积	2.0m ～ 2.0m

单室与多室PECVD设备