英特尔18A制程良率突破85%:晶圆代工业务迎来历史性拐点
2026-07-17
俄罗斯ZNTC完成130nm光刻机样机开发,量产仍需数年
俄罗斯自研1.5nm电子束光刻样机,将晶圆曝光时间从2周缩短至5分钟
俄罗斯光刻设备半年内两度突破:350nm入列、150nm原型机启动测试
台积电在 A14 最新进展中确认良率与性能大幅提升——来自 AI/HPC 及智能手机客户的兴趣强劲
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