（图片来源：ZNTC）

俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC） 已完成一台面向130nm工艺的国产光刻系统样机开发，项目主要由ZNTC负责，并与白俄罗斯Planar公司合作完成。设备现已进入内部测试和工程验收阶段，目标是替代俄罗斯芯片制造商当前使用的尼康、佳能和ASML的同类进口设备。

技术规格与开发模式

该设备是一台步进式光刻机（Stepper），设计用于200mm晶圆，关键技术特征包括采用193nm波长准分子激光光源——这与全球DUV光刻的标准技术路线一致。据报道，ZNTC还自行开发了该激光光源，使俄罗斯进入掌握此项技术的少数国家行列。

项目分工方面，白俄罗斯Planar公司负责光刻系统本身的开发、机械组件制造及样机调试，Lassard公司研发激光器，ZNTC则负责整体系统开发、测试与工艺设备设计、投影镜头计算及工艺建模。俄罗斯工业和贸易部为整个研发计划拨款约7000万美元（57亿卢布）。

成本与时间表

据估算，单台130nm级ZNTC步进机成本约670万美元，加上约60万美元的激光光源，单台设备总成本约730万美元。作为历史参照，ASML的PAS 5500/150在2001年发布时标价310万美元，按通胀调整后约合2026年的580万美元。

然而，从样机到量产仍有相当距离。ZNTC负责人Anatoly Kovalev表示，目前仅完成了样机，还需进行初步测试和基础工艺建立，公司计划2027年与客户签订批量供应合同。据意大利媒体Tom's Hardware分析，首批商业芯片量产的实际时间窗口可能在2029年之后。该样机已比原计划延迟约五个月交付。

战略意义与局限

Strategy Partners分析师Alexander Mikhailov指出，这台国产光刻系统样机的问世是俄罗斯微电子行业的重要里程碑，证明俄罗斯具备了开发此类设备所需的工程能力，也为研制90nm、65nm等更先进节点铺平了道路。

从技术代际看，130nm属于2000年代初的工艺水平。有分析认为，俄罗斯在该领域落后现代先进设备约25年。但130nm工艺足以支撑汽车电子、工业控制、雷达、航天及军用基础芯片的本土自主生产，从供应链安全角度具有重要价值。俄罗斯市场对此类设备的容量估计为15至25台（至2030-2032年）。

从350nm到130nm，ZNTC在约两年内完成了这一代际跨越，此前其350nm光刻机已于2025年完成研发并计划于2026年12月交付首台。俄罗斯的下一步目标是90nm，但由于整条生态链——包括光掩模、材料和维护能力——尚不完善，从样机到稳定量产仍有大量工程挑战需要克服。

来源：CNews、TAdviser、iXBT等报道