中微公司全球首台高选择性刻蚀设备，填补国内3D器件关键刻蚀工艺空白

中国上海——中国半导体设备企业中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”，股票代码：688012）近日宣布，其Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机已顺利付运国内重要集成电路研发制造客户。

瞄准三维器件制造的关键工艺

芯片架构三维化正成为支撑芯片持续缩微的重要动能，而高选择性刻蚀工艺是三维器件制造中最关键的工艺之一。针对GAA（环绕栅极）、3D NAND、3D DRAM等器件工艺需求，中微公司此次交付的设备填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

设备技术特点

Primo Domingo®的核心设计围绕均匀性与工艺重复性展开：

• 全对称腔体结构与优化流场设计：在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节实现系统整合，确保晶圆表面刻蚀的高度均匀性

• 集成气柜设计：缩短气体注入距离，实现更快脉冲气体精密控制，提升刻蚀性能

• 高抗腐蚀管路与特殊涂层材料：应对工艺所需的高活性刻蚀气体，保障设备长期可靠运行

• 双制冷/双加热晶圆基座：支持宽范围精准温控，显著提升刻蚀均匀性与稳定性

• 搭载Primo C6V3传输系统：可灵活搭配主刻蚀腔和辅助退火腔，满足不同刻蚀应用需求

刻蚀技术能力与国际水平

中微公司目前刻蚀设备已全面覆盖从65纳米到3纳米及更先进工艺的刻蚀应用，覆盖存储器中各类超高深宽比刻蚀：

中微公司行业首创的双反应台（Dual-Station）ICP刻蚀技术已达到0.2纳米的单原子水平，公司称其超高深宽比刻蚀能力已达到国际一流水平。

平台化布局与量产验证

经过长期技术攻坚，中微公司已累计开发出54种高端半导体设备，其中包括：

• 26种细分的单反应台反应腔和双反应台可独立操作的高能等离子体CCP及低能等离子体ICP刻蚀机

• 24种薄膜设备，涵盖MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、EPI设备，以及CMP、先进封装和光学量检测设备

截至2026年6月底，中微公司已累计超过8800个反应台在国内外220余条生产线上实现量产，设备稳定性、工艺精度和量产适配性已获全球市场验证。

高管表态与未来规划

中微公司资深副总裁丛海表示：“中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。公司持续践行‘五个十大’企业文化，将产品开发的十大原则贯穿于产品开发、设计和制造全过程。”

目前，中微公司平台化战略已全面落地。公司未来五年计划通过“有机生长和外延扩展”，持续拓宽产品矩阵，覆盖包括刻蚀、薄膜、湿法和量检测设备等约60%以上的高端半导体设备市场，以及70%以上的先进封装设备市场。

关于中微公司

中微半导体设备（上海）股份有限公司致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案。其CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀设备已广泛应用于国内和国际一线客户。公司开发的MOCVD设备已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位，并已全面布局光学和电子束量检测设备及多种泛半导体微观加工设备。在近五年的全球半导体设备客户满意度调查中，中微公司总评分四次获得第三，薄膜设备四次被评为第一。

文章来源：中微公司官方微信公众号