俄罗斯光刻设备半年内两度突破：350nm入列、150nm原型机启动测试

2026年7月，俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）宣布，代号为“Progress ELL 150”的电子束光刻设备原型机已进入综合测试阶段。这是该国在光刻设备领域近半年来取得的第二项实质性进展——此前2026年3月，其首台350nm光刻机已正式纳入俄罗斯国家工业设备名录。半年之内，俄罗斯在自主光刻装备研发上实现密集突破，一条从成熟制程起步、逐步向更高节点推进的技术路线日渐清晰。

350nm光刻机正式入列，迈出工业化部署第一步

2026年3月初，俄罗斯国家工业信息系统（GISP）最新目录显示，由泽列诺格勒纳米技术中心（ZNTC）自主研发的新型光刻系统已正式纳入国家工业设备名录。该设备型号为RAVC.442174.002TU，是俄罗斯首款自主研发的对准投影式光刻机，专为超大规模集成电路（VLSI）的生产而设计。

技术规格方面，该设备采用365nm波长的i线紫外光源，可处理200mm标准晶圆，分辨率达到350nm（0.35微米），对准精度为90nm。工作光刻区域约为22×22毫米，通过步进重复曝光工艺在晶圆上重复投射芯片图案。据俄罗斯媒体报道，该设备由ZNTC与白俄罗斯设备制造商Planar公司联合研发，于2024年完成组装并进入测试阶段，2025年正式发布并收获首批订单。

意义与影响：GISP目录的收录不仅是一项行政程序，更为国产设备打开了国内市场通道。根据俄罗斯国家战略，政府及国企采购将优先选择名录内产品。尽管350nm制程与当前全球最先进的2nm、3nm工艺存在代差，但在工业体系中依然具有极高的实用价值——电源管理芯片、汽车电子、工业控制、传感器及航空航天等领域对芯片的可靠性和成本更为敏感，而非单纯追逐线宽的缩小。该设备的入列，标志着俄罗斯在构建独立半导体制造生态系统、打破西方技术封锁的道路上，迈出了从“实验室研发”到“工业化部署”的实质性一步。

“Progress ELL 150”电子束光刻原型机进入测试

更大的进展出现在2026年7月。据俄罗斯科技媒体CNews报道，ZNTC已成功制造出两台设计规范为150nm的电子束光刻系统原型机，项目代号“Progress ELL 150”。该项目属于俄罗斯联邦“科学技术发展”国家计划框架下的重点研发任务。

与传统的投影式光刻机不同，Progress ELL 150采用电子束直写（EBL）技术，其核心优势在于无掩模光刻——借助聚焦电子束，直接在涂有抗蚀剂的硅片等衬底上“绘制”电路图案。这种类似“极细画笔”的直写方式，彻底打破了传统光学光刻对昂贵光掩模的依赖。在掩模写入模式下，该设备还可承担制作光掩模母版的任务。

测试进展：目前两台原型机已启动为期约四个月的综合测试，后续还将对图像精度、工艺参数及整片晶圆的图形均匀性等指标进行精细化验证。据ZNTC总经理阿纳托利·科瓦廖夫透露，其中一台样机还将被运往距泽列诺格勒约2000公里的一处地点进行交叉验证。设备曝光的最早线索源自2026年6月俄罗斯公开的政府采购运输招标文件。

130nm：俄罗斯的下一阶段目标

俄罗斯第一副总理丹尼斯·曼图罗夫在视察ZNTC时表示，俄罗斯“时隔45年重返世界微电子强国之列”，并预计到2026年底，俄罗斯将掌握130nm光刻技术。

事实上，曼图罗夫早在2026年2月的一场地区工作报告论坛上就已宣布了这一目标，强调该计划的政治意义——建立完全自主可控的本土光刻系统。俄罗斯工业和贸易部此前也表示，130nm光刻机将在2026年启动部署。

130nm制程属于真正意义上的成熟CMOS工艺节点，能够覆盖汽车MCU、电源管理IC、安全加密芯片、工业PLC控制器、FPGA（低密度）及军工专用芯片等广泛应用领域。对于大量工业设备而言，可靠性、稳定性和成本远比晶体管数量更加重要。

客观审视：差距与定位

必须客观看待俄罗斯目前的发展水平。目前，英特尔、台积电等国际领先企业已实现1.8nm至2nm工艺量产，采用的是ASML提供的先进EUV光刻设备。相比之下，俄罗斯此次测试的150nm设备在制程能力上存在明显差距。据业内测算，150nm在元件线性尺寸上约为2nm工艺的75倍，在晶体管面积密度方面落后超过5600倍。从产业发展角度来看，150nm大致相当于国际半导体行业2000年前后的技术水平。

此外，电子束直写技术虽然灵活，适合科研原型开发、快速改图以及航天、国防等领域的小批量专用芯片生产，但其曝光效率远低于投影式光刻机，难以满足消费电子芯片的大规模量产需求。

目前，Progress ELL 150仍有多项关键信息尚未公开，包括写入速度、套刻精度、可处理基板尺寸、连续运行稳定性及核心零部件国产化比例等。自2022年以来，欧美持续收紧对俄罗斯半导体、电子元件及相关制造技术的出口限制。在此背景下，如果“ELL 150”能够通过测试并实现稳定交付，将帮助俄罗斯在光掩模制造、原型验证和小批量专用芯片生产等特定环节降低对进口设备和境外服务的依赖。

从350nm光学光刻机入列，到150nm电子束光刻原型机测试，再到130nm目标临近，俄罗斯正沿着一条从成熟工艺起步、逐步提升的清晰技术路线稳步推进。尽管与国际先进水平仍有巨大差距，但对于长期处于技术封锁之下的俄罗斯而言，这已是构建自主半导体制造生态的重要一步。正如俄罗斯官方所强调的，这不仅是技术突破，更是战略自主的基石。

相约深圳，共话微纳光学制造新机遇

第七届中德（欧）合作创新·MEMS微纳光学制造论坛，将于9月9日在深圳会展中心（宝安）召开，与深圳光博会首日同期举行。本届论坛由 深圳市微纳制造产业促进会 、 深圳市汉希卡德智能传感应用技术研究院主办 ，微纳视界承办，将汇聚国内外微纳制造领域的企业代表、专家学者及产业嘉宾，围绕微纳技术产业链发展、前沿技术创新与产业协同合作，开展主题演讲及圆桌对话。

现面向行业开放 参会报名、嘉宾演讲、企业展示及品牌赞助合作 ，诚邀微纳制造产业链上下游企业与业内同仁齐聚深圳，共话技术趋势，共拓合作机遇。点击下方图片可下载本届大会赞助及合作方案（内附联系方式）