松山湖材料实验室2026年11月至2027年01月政府采购意向——刻蚀机设备、化学气相沉积设备、磁控溅射镀膜系统

标的名称：化学气相沉积设备

标的数量：1

主要功能或目标：用于InP/GaAs外延生长，满足6片2英寸或3片3英寸衬底，配备三区控温加热、旋转、真空、多路MO源及PH₃/AsH₃、N₂/H₂载气单元、真空干泵、水浴槽、PLC控制、安全互锁、原位监测及手套箱，含运输安装调试。

需满足的要求：反应腔漏率≤1×10⁻⁹mbar·L/s、控压精度≤±1%；温控最高1250℃；旋转0～100RPM、精度±0.5RPM；真空5.0～1000mbar可调；MO源12路；配PH₃/AsH₃及N₂/H₂供气路、Ebara或同级别干泵、8个恒温水浴槽、PLC、安全互锁、原位监测及手套箱。

标的名称：刻蚀机设备

标的数量：1

主要功能或目标：用于InP和GaAs材料的光芯片的图形化制备

需满足的要求：主要为满足高精度、低损伤的微纳加工需求：实现化合物半导体（GaN、SiC、GaAs、InP等）的高速率、各向异性精细刻蚀，并在纳米尺度独立调控离子能量与密度以降低器件损伤；同时支持ICP-CVD低温沉积高质量介质膜，兼容温度敏感材料，支撑光电子、功率器件及MEMS研究。

标的名称：磁控溅射镀膜系统

标的数量：1

主要功能或目标：设备配备装载互锁loadlock腔体、晶圆传输腔体及4个工艺腔体。能实现AlScN薄膜（30%钪原子浓度）、AlN薄膜、金属Mo薄膜的生长溅射，能通过Ion Beam Trimming工艺更进一步优化薄膜的膜厚均匀性。

需满足的要求：支持4~8英寸；真空度5x10-7 Torr；双靶双电源，带旋转台，无加热无偏压。AlN膜均匀性≤0.2 %，片间<0.1%, 取向半宽高<1.5度，应力±50Mpa；AlScN膜均匀性≤0.3%，片间<0.1%, 取向半宽高<1.7度；应力±100Mpa；Mo膜均匀性≤0.5 %，片间<0.3%，取向半宽高<2度；应力±50Mpa。轰击优化膜厚速率≥2.6nm/分, 均匀性<1nm, 精度<±1