格芯公布FDX Fusion细节：不靠EUV做7nm级性能，2030年目标大规模量产

2026-11-09

在放弃7nm FinFET开发八年后，晶圆代工厂GlobalFoundries（格芯，GF）正以另一条路径重返7nm级性能。其FDX Fusion工艺基于全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术，采用先进平面晶体管，承诺在不使用极紫外（EUV）光刻的前提下实现7nm级性能。GF FD-SOI业务部门副总裁Sudipto Bose在专访中披露了该技术的密度、成本与量产时间表。

密度与性能：8nm级密度，7nm级能效

Bose给出的关键数字是：FDX Fusion的数字门密度为每平方毫米1400万个门，与当前业界8nm标准相当。按双输入NAND门（每门4个晶体管）折算，约为每平方毫米5600万个晶体管，与三星8nm级节点可比。GF刻意避免将其称为“7nm密度”，而是“7nm级”性能——因为数字门密度只是解决方案的一个维度，真正决定客户价值的是每瓦TOPS。

“我们本来想叫它6nm级，但觉得还是等有硅片出来再说，”Bose表示。FDX Fusion保留FD-SOI的标志性能力——自适应体偏（ABB），结合标准单元金属化创新，目标是在等功耗下性能比22FDX提升30%，等性能下功耗降低40%。射频性能方面，fT/fmax达到500GHz（0.5THz），为连接类应用、汽车雷达和数据中心信号链路提供支撑。成本逻辑：不用EUV，掩膜版价格更具竞争力

FDX Fusion的核心商业逻辑建立在规避EUV之上。传统7nm、6nm节点依赖EUV设备，掩膜版与工具链成本高昂。FDX Fusion基于DUV光刻与平面工艺，GF称其可提供更有竞争力的掩膜版价格，并在交付周期与生产布点上给客户更大灵活性。代价是晶体管密度明显低于真正的7nm FinFET节点，芯片面积会更大，“但不应超过今天8nm的水平”。

Bose解释了命名“Fusion”的意图：不把客户装进一个数字框里。需要跨阻放大器的客户可以用fT/fmax做模拟设计，不在乎数字密度；需要简单MCU的客户有1400万门/平方毫米可用；需要单芯片雷达、Wi-Fi或卫星数字波束成形器的客户可以调校其他参数。“我们想给客户选择权。”

目标应用：连接、边缘AI、汽车雷达、数据中心信号链

FDX Fusion的目标场景延续GF现有FDX客户群，并向上延伸：

连接芯片：Wi-Fi、蓝牙、蜂窝、卫星通信；
边缘AI MCU：带推理能力的微控制器，客户如Alif Semiconductors；
汽车雷达：GF在81GHz雷达领域有显著份额，FDX Fusion将支撑其升级；
数据中心信号链：不涉及CPU，而是光信号转换为电信号后的跨阻放大器与时钟恢复电路。目前该环节由GF硅锗工艺承担，FDX Fusion将提供第二种选择。

GF现有FDX平台已有九十余家客户处于量产爬坡阶段（非仅设计阶段）。Bose称，FDX Fusion的首批10家合作客户集中在边缘AI与数据中心连接领域。

时间表与制造：2028年商业生产，2030年大规模量产

2027年初：示范硅片交付客户评估；
2027年中：首版PDK发布；
2028年：在德累斯顿工厂启动初始客户生产；
2030年：目标实现大规模量产（HVM）。

制造将使用GF德累斯顿工厂，需要新增设备投资。Bose表示，前端晶体管制造工具链的目标是尽可能复用现有设备，但具体比例未披露。德累斯顿的SPRINT扩建项目（总投资11亿欧元）已于2026年10月封顶，预计到2028年底年产能超过100万片300mm晶圆，使德累斯顿成为欧洲最大代工厂。

图：格芯位于德国德累斯顿的SPRINT扩建项目

客户背书与产业定位

GF官方新闻稿中，宝马、博世、英飞凌、恩智浦、西门子、特斯拉等均表态支持FDX Fusion。英飞凌确认正与GF合作探索该技术用于下一代雷达与无线通信产品；特斯拉供应链副总裁称边缘高性能计算器件的开发与制造“是将物理AI带给大众的关键”。

GF欧洲晶圆厂高级副总裁Manfred Horstmann此前对媒体表示：“数据中心AI这班车已经开走了，但物理AI对全世界仍是开放的。”FDX Fusion的定位正是物理AI的STAC负载——感知、思考、执行、通信四位一体，而非与台积电、三星在数据中心AI芯片上正面竞争算力密度。

来源：GlobalFoundries官方新闻稿、IT时代网报道。