台积电、三星、SK海力士集体拥抱High NA光刻，ASML AI芯片设备垄断地位再强化

荷兰——全球三大芯片制造商台积电、三星电子和SK海力士已相继确定采用ASML新一代高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻设备，标志着半导体行业在AI芯片制造竞赛中对最尖端光刻技术的集体押注。这一趋势进一步巩固了ASML在高端光刻设备领域的垄断地位。

三大客户集体转向

2026年9月14日，据路透社报道，韩国三星电子计划从2028年起将High NA EUV设备用于DRAM内存芯片的量产，成为首家将该技术应用于存储芯片生产的制造商，随后还将扩展至其1.4纳米先进逻辑制程。台积电则表示，将于2030年在先进节点的大规模生产中启用High NA技术，预计随着技术节点演进，需要High NA EUV的层数将持续增加，主要驱动力来自AI应用对晶体管架构日益复杂的需要。韩国SK海力士同样宣布从2028年开始使用High NA设备，而美国美光已订购相关设备但尚未确定量产时间表。

英特尔作为首个采用者，已在High NA设备上处理超过100万片晶圆，用于部分Intel Core Ultra Series 3处理器（代号Panther Lake）的特定层生产，套刻精度、吞吐量和可用性均达到预期。

价格高昂但别无选择

High NA EUV设备单台造价约4亿美元，是当前一代EUV设备（约2亿美元）的两倍。该技术将数值孔径从0.33提升至0.55，可印刷比标准EUV系统小约40% 的特征尺寸，有望减少制造步骤并提升生产率。

台积电此前曾质疑High NA是否值回票价，一度表示暂无采用计划，认为下一代设备“非常、非常昂贵”。但如今台积电已改变立场，承诺从2030年起使用该技术。

ASML首席执行官Christophe Fouquet对路透社表示：“说实话，我不认为我们正处于AI繁荣的终点。”

垄断地位难以撼动

摩根大通估计，ASML在2025年占据全球光刻市场94% 的份额。在最尖端领域，其地位更为稳固——自2010年代末以来，ASML一直垄断着制造最强大商用AI芯片所需最小电路所必需的EUV光刻机。日本尼康和佳能以及新兴的中国竞争对手仅能制造深紫外（DUV）光刻系统，属于较老一代技术。晨星分析师Javier Correonero称，关于这些公司即将在光刻领域追赶ASML的担忧属于“ misinformation（错误信息）”。

InsingerGilissen分析师Jos Versteeg表示：“我从未怀疑过（High NA会被广泛采用），因为别无选择。”

12英寸光掩模联盟同步推进

与High NA采用同步，ASML正联合台积电、三星等行业伙伴推动光掩模从沿用数十年的6英寸规格向12英寸过渡。三星已加入ASML主导的“大型掩模联盟”，共同开发下一代12英寸光掩模。ASML与台积电于9月7日宣布成立行业协作倡议，目标在2031年建立12英寸掩模中试线，支持High NA光刻系统在2033年进入先进节点生产。

ASML预计，采用更大尺寸掩模格式可带来约40% 的生产率提升。

来源：JKN及路透社报道