4 亿美元一击！ASML 巨赌 High-NA 芯片数月内交付，逼迫台积电打破观望？

阿斯麦（ASML）预计，利用其下一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻设备制造的首批先进半导体，将在几个月内开始出货。

在 5 月 19 日由比利时微电子研究中心（Imec）主办的 ITF World 2026 大会上，ASML 首席执行官克里斯托弗·富凯（Christophe Fouquet）正面回应了外界对成本的担忧。他承认该系统的初期投入成本极高，但坚称其架构将降低长期的图形化（patterning）成本——随着行业迈入 2 纳米以下埃米（Angstrom）时代，该技术将通过更精细分辨率的单次曝光，取代复杂的多次曝光（multi-patterning）步骤。

英特尔一马当先，台积电按兵不动

如今的竞争态势与十年前已完全不同。当年，英特尔因延迟采用标准 EUV 工具，将主导性的市场份额拱手让给了台积电（2330.TW）。而如今，英特尔成为了 High-NA 技术最激进的采用者，其前两台系统已经完成了大约 30 万片试验晶圆的运行。相比之下，台积电则采取了更为注重成本的谨慎姿态，并选择在其最新的工艺节点中绕过 High-NA 技术。

一场涉及 4 亿美元的概念验证豪赌

阻碍全行业普遍采用的屏障显而易见：成本。据路透社报道，单台 High-NA 系统的售价高达 4 亿美元。GuruFocus 的数据显示，ASML 的市盈率（P/E）目前维持在 47.07 倍的高位，这表明投资者对该技术在短期内获得商业化验证抱有强烈期待。未来几个月内推出的首批 High-NA 存储和逻辑芯片将是一场关键的测试——它必须说服台积电和三星电子等持观望态度的客户，证明该工具将特征尺寸缩小 66% 的能力确实物有所值。

AI 顺风车与晶圆厂瓶颈

人工智能（AI）的蓬勃发展，已将 High-NA 工具从细分的逻辑芯片制造机械，转变为跨行业的关键核心资本资产。预计将持续到 2028 年的数据中心存储扩展超级周期，已经在推动像 SK 海力士（SK Hynix）这样的存储巨头签署价值数十亿美元的设备合同。

High-NA 光刻技术对于制造下一代高带宽内存（HBM）模块和先进的数据中心 DRAM 芯片至关重要。富凯反驳了关于 ASML 是供应链瓶颈的说法。他认为，真正的制约因素在于晶圆代工厂——为了跟上未来几年全球芯片销售额每年 20% 的增长速度，代工厂必须进一步扩大洁净室并采购更多光刻系统。