全球首条6英寸磷化铟光子芯片产线在荷兰动工，6G时代有望成为关键材料

作为III-V族化合物半导体中的重要代表，磷化铟（InP）因其优越的能带结构、极高的光电转换效率以及出色的热导率，已在光通信、量子点电视、空间光伏等前沿技术领域获得广泛应用。

欧洲6英寸InP芯片制造厂开工建设

近日，全球首条面向6英寸（150毫米）磷化铟光子芯片的工业级晶圆厂在荷兰埃因霍温高科技园区正式破土动工。这一项目总投资超过1.5亿欧元，是欧盟《芯片法案》框架下支持的五条试点产线之一，也是欧洲多年来在半导体领域最重要的投资之一。

该工厂由荷兰应用科学研究组织（TNO）主导开发，联合了埃因霍温理工大学、PhotonDelta、SMART Photonics以及埃因霍温高科技园区等多家荷兰及欧洲顶尖科研与产业机构。项目建设包括一座先进的洁净室，以满足光子芯片制造过程中对环境污染控制的严苛要求。来自BAM Nederland、Equans Nederland和洁净室专家Interflow等企业的工程团队将共同参与建设。

按照规划，该产线将于2028年全面投入运营，预计年产能最高可达1万片晶圆及1000万颗光子芯片。这将大幅推动光子集成电路（PIC）的商业化进程，填补长期以来光子学领域从实验室研发走向规模量产的关键空白。

与传统电信号处理方式不同，基于磷化铟的光子芯片以光为载体进行数据传输和处理，具有更高带宽、更低功耗的优势，未来可广泛应用于AI数据中心、6G通信、医疗设备、国防系统和高性能计算等领域。

图源：cleanroomtechnology.com

6G发展势头提振InP前景

与此同时，随着6G通信成为全球科技竞争的新焦点，磷化铟的战略价值愈加凸显。2026年中国政府工作报告明确提出将6G纳入未来产业重点发展方向，进一步强化了市场对磷化铟在新一代通信中关键地位的预期。

作为5G之后的下一代通信标准，6G网络预计将支持Tbit级峰值速率、低至0.1毫秒的空口延迟以及每平方公里数千万的连接密度，并通过空天地海一体化网络实现真正意义上的全球无缝覆盖。在这一技术架构中，以磷化铟为代表的化合物半导体，将在射频前端、太赫兹通信、光电集成等关键环节发挥不可替代的作用。

正是由于其优异的高频性能和光电特性，磷化铟被视为支撑太赫兹通信、量子技术和卫星通信等未来产业的重要基础材料。

面对巨大的市场潜力，全球磷化铟产业链竞争日趋激烈。目前，日本、美国和中国在磷化铟领域占据主导地位，其中日本住友电工凭借垂直布里奇曼（VB）晶体生长技术，长期稳居磷化铟衬底市场的全球龙头，可稳定供应2至6英寸的高质量衬底，并广泛应用于光模块和射频器件。美国AXT、法国InPact等企业也在全球供应链中占据重要位置。与此同时，云南锗业、有研新材、三安光电和西安英杰半导体等中国企业正在积极推动磷化铟技术的本土化进程，加速构建自主可控的国内供应链体系。

在全球供应链重构和技术竞争加剧的背景下，欧洲通过此项6英寸磷化铟光子芯片产线的建设，正在强化其在光子集成电路领域的技术自主性与产业链韧性。荷兰埃因霍温高科技园区CEO Otto Van Den Boogaard表示，园区的使命就是支持开发突破性技术的公司和机构。此次投资不仅巩固了荷兰在欧洲半导体版图中的核心地位，也为欧洲在下一代光子技术上保持竞争力奠定了基础。