中际旭创首款近封装光学（NPO）器件进入早期生产，基于Tower Semiconductor硅光平台

以色列米格达勒埃梅克 / 中国苏州——以色列晶圆代工厂Tower Semiconductor（纳斯达克/TASE：TSEM）与中国光互连解决方案供应商Innolight（中际旭创，深交所：300308）于11月3日宣布，中际旭创首款近封装光学（NPO）器件已基于Tower的PH18M硅光制程进入早期生产，产线位于Tower美国加州工厂。与此同时，中际旭创已在Tower的300mm硅光平台上完成多款NPO产品的流片，以支持未来产品世代。

技术路径：从可插拔模块向近封装架构迁移

NPO架构将光引擎放置在靠近主ASIC封装的位置，缩短电信号传输距离，以应对AI数据中心内部日益增长的带宽与功耗压力。与当前主流的可插拔光模块相比，NPO器件通常需要显著更高的光通道数，往往在单一器件上集成16个或更多通道。

通道数的提升，使制造工艺控制、良率与一致性成为关键瓶颈。Tower的硅光平台支持波分复用（WDM）与解复用等光子功能的单片集成，可在紧凑尺寸内整合更多功能，同时优化性能与可扩展性。

中际旭创CTO Oliver Sun表示：“近封装光学正在成为下一代AI与云基础设施的关键技术。与Tower的合作使我们能够加速NPO解决方案的开发，以满足超大规模与AI数据中心客户不断演变的需求。”

Tower Semiconductor总裁Marco Racanelli博士指出，中际旭创已是Tower在美国加州纽波特海滩、得州圣安东尼奥、以色列及日本四座工厂的“基石制造客户”。首款NPO器件使用200mm PH18M制程，300mm平台的流片则为后续产品世代建立了开发路径。

时间线与产能背景

此次早期生产属于小批量验证性质，双方未披露出货量、器件级带宽、客户部署情况及量产时间表。招银国际研报此前指出，中际旭创管理层预期2.4T/NPO/XPO产品于2027年下半年进入初步量产，2028年加速规模化部署；公司已与部分关键客户启动联合开发与送样。

从产业节奏看，NPO并非对可插拔模块的即时替代。招银国际在2026年2月的研报中判断，可插拔模块在2026至2027年仍将是超大规模数据中心横向扩展（scale-out）与跨域（scale-across）部署的确认标准，有意义的CPO/NPO采用更可能发生在2027年末之后，需等待可靠性验证、可维护性与生态成熟度的进一步成熟。

来源：编译自Unite.AI 2026年11月2日报道，结合Tower Semiconductor与Innolight联合新闻稿、Converge Digest、Investing.com及招银国际研报公开信息整理。