西门子携手英伟达以cuLitho加速计算光刻，全芯片OPC最高提速17倍

美国得克萨斯州普莱诺——德国西门子于10月14日宣布，其与英伟达（NVIDIA）在加速计算光刻工作流方面的合作取得重大进展。通过将英伟达专为GPU加速计算光刻开发的CUDA-X库cuLitho与西门子Calibre®制造软件集成，半导体制造商得以克服先进图形化中受运行时间限制的挑战，使下一代AI半导体具备可制造性。

图形化瓶颈：计算光刻遭遇“运行时间墙”

随着业界向领先工艺节点快速推进，光刻图形化的复杂性呈指数级增长。传统光学邻近效应校正（OPC）和计算光刻技术面临“运行时间墙”。向High-NA EUV过渡以及先进曲线图案化（如逆光刻技术ILT）的需求，要求巨大的计算资源。

若不加加速，这些关键技术往往过慢，难以实现全芯片、制造规模的部署，迫使工程团队在优化深度与项目进度之间做出取舍，从而带来光刻热点风险和工艺窗口收窄，可能影响最先进AI计算与存储器件的良率。

GPU加速：关键仿真负载提速10至17倍

西门子与英伟达的合作将这一挑战转化为使能技术。通过为关键光刻仿真负载提供至少10倍加速，制造商可在流片前执行更全面的优化并识别潜在热点。经工程验证的数据支持关键负载实现10倍至17倍的仿真加速，使全芯片曲线图案化对High-NA EUV生产变得可行。

西门子EDA IC产品组合执行副总裁Ankur Gupta表示：“计算光刻历来是设计到制造流程中计算最密集的环节之一。将西门子签核级Calibre技术与英伟达GPU加速相结合，我们使客户能够规模化部署曲线ILT等先进图形化策略。这不仅关乎速度，更关乎实现下一代AI基础设施所需的精度。”

英伟达工业与计算工程副总裁兼总经理Tim Costa表示：“下一代芯片正推动制造复杂性达到极限，使计算光刻比以往任何时候都更加关键。通过将NVIDIA cuLitho加速引入西门子Calibre，我们使工程师能够处理日益复杂的图案，并探索制造全球最先进芯片所需的更广泛优化。”

对芯片与光掩模制造商的可量化价值

该合作在关键计算光刻工作流中为半导体和掩模制造商带来可量化的性能提升。通过缩短仿真运行时间，制造商可在更短时间内完成更多迭代，更早识别光刻热点，并在流片前改善工艺窗口。更快的周转还可帮助加速制造就绪，支持新AI芯片的部署。

来源：西门子官方新闻稿