英特尔率先将High-NA EUV导入量产，ASML下一代光刻技术迈向商业化

ASML于7月15日确认，Intel已经成为业内首家出货采用High-NA EUV光刻技术制造的量产逻辑产品的企业。目前，英特尔正在18A制程节点的部分特定芯片层上使用ASML的High-NA EUV设备，用于生产部分代号为Panther Lake的Core Ultra Series 3处理器。这一进展意味着High-NA EUV首次在实际的大批量生产环境中得到验证，不再仅限于技术研发或工艺认证阶段，也标志着ASML最先进的光刻技术在商业化方面迈出了重要一步。

Intel 18A的部分芯片层目前已在英特尔位于美国俄勒冈州的生产环境中完成High-NA EUV双重资格认证，使其能够在现有光刻设备与High-NA EUV设备之间灵活安排相关生产任务。将High-NA EUV用于实际产品，还可帮助英特尔与ASML收集有关系统设置、运行时间、产出能力和量产实施流程的数据，为这项技术在未来制程节点上的进一步应用做好准备。

英特尔执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示，这一里程碑证明High-NA EUV“能够以规模化方式集成到先进半导体制造流程中”，在部分18A芯片层上完成这一工艺选项的认证，已经为客户带来更高的产出，同时也为英特尔在未来制程节点上采用更多先进制造方案提供了选择。

从研发设备走向量产环境

英特尔与ASML在High-NA EUV领域已经合作多年。2024年，两家公司在英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的研发基地完成了业内首套商用High-NA EUV光刻系统的集成，英特尔随后又成为第一家安装第二代TWINSCAN EXE:5200B并通过验收测试的企业。作为升级后的High-NA EUV系统，EXE:5200B拥有更高的产出能力、更好的套刻精度以及经过增强的EUV光源。

2026年初，英特尔推出了Core Ultra Series 3处理器产品线，这是该公司首批采用全新18A制程技术制造的芯片。Intel 18A属于2纳米级制程，结合了全环绕栅极（GAA）晶体管架构与背面供电技术，在其中部分芯片层上导入High-NA EUV，也使Panther Lake成为这项下一代光刻技术进入商业生产的重要载体。

ASML总裁兼首席执行官Christophe Fouquet表示：“凭借更高的分辨率和更好的工艺控制能力，High-NA EUV的导入代表着半导体光刻技术的一项重大进展。我们很自豪能够在实现尺寸更小、密度更高的图形化方面发挥作用，从而加快人工智能及其他新兴技术的发展。”

面向2纳米以下制程的下一代光刻系统

ASML的High-NA EUV设备主要面向2纳米以下及更先进制程。该系统采用数值孔径为0.55的光学系统，分辨率可达8纳米，与现有的0.33 NA EUV设备相比，能够打印尺寸小约1.7倍的图形特征。更高的分辨率和更强的工艺控制能力，有望减少部分关键芯片层对复杂多重图形化工艺的依赖，为进一步提高晶体管密度创造条件。

不过，High-NA EUV的技术优势也伴随着高昂成本，每台设备的价格约为4亿美元，接近低数值孔径EUV系统的两倍。设备成本、生产效率、良率表现以及现有产线的改造难度，都将影响芯片制造商最终的导入时间，因此，尽管ASML已经研发High-NA EUV多年，整个行业的采用速度仍然较为谨慎。

英特尔率先将High-NA EUV用于商业产品，证明这项技术已经具备进入量产环境的条件，但这并不意味着它已经在Intel 18A的全部芯片层上取代现有EUV设备。当前应用仍集中在部分经过认证的芯片层上，其重要意义更多在于建立一套可验证、可扩展的量产方案，为未来更广泛的采用积累真实生产数据。

台积电和三星仍在评估导入时机

目前，美光、三星、SK海力士和台积电仍在以不同方式评估High-NA EUV。Christophe Fouquet在ASML第二季度财报视频访谈中表示，公司已经看到所有主要客户都在推进相关工作，预计将分别与客户讨论High-NA EUV应以何种方式、在什么时间导入大批量生产。

其中，三星是这项技术的早期测试厂商之一，业界普遍预计台积电可能在其1.4纳米节点N14上开始使用High-NA EUV，不过，两家公司均未公开确认具体的量产时间表。与英特尔相比，台积电对近期采用High-NA EUV仍持谨慎态度，认为该系统现阶段成本过高，而且短期内并非先进制程继续发展的必要条件，因此计划继续扩展使用ASML现有的0.33 NA EUV设备。

台积电目前仍是ASML 0.33 NA EUV系统在全球市场上的最大买家，预计到2027年，其采购数量将接近ASML当年相关系统总量的一半。这反映出两家公司不同的技术选择：英特尔希望通过较早导入High-NA EUV，积累下一代光刻技术的生产经验；台积电则倾向于继续挖掘现有0.33 NA EUV平台的能力，在设备成本与工艺复杂度达到更合适的平衡后再推进High-NA EUV。

强劲需求推动ASML业绩与产能增长

High-NA EUV取得量产进展的同时，ASML也公布了强劲的2026年第二季度业绩，公司当季销售额为93亿欧元，净利润达到29.18亿欧元。Christophe Fouquet表示，强劲的终端市场需求正在推动客户扩大先进制程节点的产能，多家客户已经上调年度资本支出计划，先进逻辑芯片和DRAM厂商都在积极推进产能扩张。

除High-NA EUV外，市场对ASML现有的0.33 NA EUV设备也保持强劲需求。ASML计划将低数值孔径EUV系统的年产能从2026年的约65台提高至2027年的85台，目前相关设备几乎已经被全部预订；公司还计划根据需求在2028年进一步增加约30%的产能，将年产量提升至约110台。

ASML预计，2026年第三季度总净销售额将在110亿至120亿欧元之间，并已将全年营收预期上调至430亿至450亿欧元。英特尔率先将High-NA EUV导入量产，为ASML下一代光刻技术提供了重要的商业验证，而现有EUV设备持续增长的市场需求，也为公司扩大产能和推动更多客户采用High-NA EUV奠定了基础。