中国原集微计划2029年在不使用EUV的情况下实现等效5纳米芯片，二维半导体中试线正式启用
2026-07-14
中国在半导体领域提出了又一项雄心勃勃的发展计划。据《南华早报》报道，芯片初创企业原集微科技已启用其所称的全球首条8英寸二维半导体中试生产线。展望未来，该公司董事长包文中表示，原集微计划在2026年底前打通等效硅基90纳米节点的制造工艺，并于2029年进一步建立一套全国产化工艺，在不使用极紫外光刻（EUV）的情况下，实现等效5纳米芯片的技术水平。
作为这一计划的一部分，IT之家报道称，原集微已发布基于其8英寸中试线的500纳米工艺设计套件（PDK）0.1版本，并正式启动晶圆代工流片服务。《南华早报》指出，这些进展标志着中国二维半导体技术正从实验室研究阶段迈向工程化验证和产业化生产。
二维半导体为何重要
与传统硅基芯片相比，二维半导体具有多方面的潜在优势。据《南华早报》报道，二维材料具有原子级厚度，使晶体管能够在不依赖日益复杂的器件结构的情况下继续缩小尺寸。
报道指出，二维半导体具有超低漏电特性，有望显著降低芯片功耗；与此同时，通过与三维堆叠等技术相结合，二维半导体未来还有可能进一步提升存储芯片的容量。
《科创板日报》还提到，原集微计划推进二维半导体芯片与硅基芯片的异质集成，并通过键合、混合键合等技术持续提升先进封装能力，逐步构建面向2.5D及准三维集成电路的设计与制造平台。
二维半导体的潜在应用
在应用层面，《科创板日报》指出，二维半导体的超低漏电特性能够显著降低存储器的刷新功耗，因此有望率先应用于端侧设备和高算力计算场景。结合三维堆叠技术，二维半导体还有望逐步提升动态随机存取存储器（DRAM）的容量。
报道还指出，二维半导体具有极致薄体特征，可被视为一种超薄SOI类材料，在射频模拟电路、抗辐照通信和脑机接口等应用场景中具有独特优势。
此外，该平台预计还将支持光电传感、量子计算等前沿领域的器件研发与制造。
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