CEA-Leti 与 GlobalFoundries 依托 FAMES 试验线推进欧洲 FD-SOI 技术创新

欧洲领先的微电子研究机构 CEA-Leti 再次重申了其与格芯（GlobalFoundries, GF）的长期合作关系。格芯作为最终用户持续参与 FAMES 试验线（Pilot Line）项目，这不仅推进了双方在全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术领域跨越二十多年的联合研究，也进一步巩固了欧洲在节能、自主半导体领域的领导地位。在芯片联合企业（Chips JU）的框架下，该项目由欧盟委员会及各参研成员国共同资助，FAMES 持续加速早期阶段的研究，从而塑造下一代 FD-SOI 技术。

FAMES 试验线旨在加速先进半导体技术的早期研发，重点关注能源效率、可持续性以及欧洲的技术韧性。工业界的参与在其中起到了关键作用，确保了研究活动能够紧密结合现实世界中的实际应用需求。

CEA-Leti 与格芯在 PD-SOI 和 FD-SOI 技术上的合作已超过二十年，跨越了多个技术世代。双方的长期合作促进了 FD-SOI 技术的成熟，使其成为在性能、功耗效率和成本之间追求最佳平衡的应用中，一个极具差异化竞争力的技术选择。

依托格芯的 FDX™ 平台

这一合作成果的代表之一便是格芯的 FDX 平台。该平台于2018年推出，由格芯位于德国德累斯顿的晶圆厂开发。基于 FD-SOI 技术，格芯的 22FDX 在许多工作负载下能够提供堪比 14/16nm FinFET 节点的性能，同时拥有更低的功耗以及固有的抗辐射特性。这些特性使其非常适合广泛的应用场景，包括移动和消费类设备、汽车微控制器、卫星通信、边缘人工智能（Edge AI）以及新兴的计算架构。

FD-SOI 技术也已被应用于环境严苛的领域，包括太空和其他对高可靠性有极严要求的场景，在这些地方，功耗效率、工艺偏差控制（variability control）和鲁棒性至关重要。

格芯作为其早期研究的最终用户参与 FAMES 试验线，重点旨在提升 FD-SOI 的能力。这包括对器件增强的探索性工作，以及在下一代衬底创新上的合作——其中包括在 FAMES 框架内及涉及 Soitec 的相关项目中开发的应变硅（strained silicon）概念。这些努力旨在进一步延伸 FD-SOI 的性能和能效，以满足未来的应用需求。

FAMES 是加强欧洲芯片产业的关键

“FAMES 试验线是欧洲加强半导体研究与创新战略的基石，”CEA-Leti 首席执行官 Sébastien Dauvé 表示。“通过与格芯的联合创新，我们在加速 FD-SOI 早期研究的同时，始终清晰地聚焦于长期创新、可持续性以及欧洲的技术主权。”

除了下一代 FDX 器件外，格芯和 CEA-Leti 还在利用 FAMES 试验线推进更广泛的基于 FDX 的项目，涵盖用于 5G/6G 功率放大器的射频（RF）设计、面向边缘人工智能存内计算（compute-in-memory）的嵌入式非易失性存储器（eNVM）、超低功耗生物医疗可穿戴设备以及网络安全组件。同时，格芯和 CEA-Leti 都将 FAMES 视为在未来 FDX 世代上实现 3D 异质集成的必然路径，从而让 FD-SOI 成为欧洲在自主、节能芯片领域功能最丰富的平台。

“格芯与 CEA-Leti 在 FD-SOI 技术上有着长期的合作历史，”格芯总经理兼高级副总裁 Manfred Horstmann 表示。“作为 FAMES 试验线的最终用户，反映了我们对 FD-SOI 早期研究的浓厚兴趣，也体现了我们对支持欧洲半导体研究生态系统的承诺。”

FD-SOI 被广泛公认为是一项由欧洲主导的技术，是通过研究机构与工业界之间持续合作建立起来的。通过 FAMES 试验线等倡议，CEA-Leti 及其合作伙伴正在继续推进基础技术的创新，以支持长期的竞争力、节能计算以及欧洲的技术主权。