美国根据《芯片法案》启动价值 8.25 亿美元的 EUV 芯片研发设施

在美国联邦政府8.25亿美元资金及全球半导体巨头的共同支持下，纽约州奥尔巴尼市迎来了首个依据《芯片与科学法案》（CHIPS Act）资助的极紫外光刻（EUV）技术研发中心的正式启用。

美国根据CHIPS法案启动$825M EUV芯片研发设施（来源：Natcast）

美国商务部日前宣布，依据《芯片与科学法案》，位于纽约州奥尔巴尼市的国家半导体技术中心（NSTC） 首座研发设施已正式启动。该设施被命名为“美国芯片计划极紫外光刻加速器”（CHIPS for America Extreme Ultraviolet Accelerator），将专注于推动半导体制造工艺，特别是极紫外光刻（EUV）技术的进步。该中心预计将获得高达8.25亿美元的联邦资金支持。

该中心坐落于“纽约州创建：奥尔巴尼纳米技术综合体”（NY CREATES’ Albany NanoTech Complex），已于2025年7月1日投入运营，并由商务部设立的非营利机构Natcast负责管理。

据《制造业纵览》（Manufacturing Dive）报道，这座EUV加速器中心是NSTC计划建设的三个国家级研发中心中的第一个，旨在提升美国本土的芯片研发与制造能力。

奥尔巴尼中心将为产业界和学术合作伙伴提供接触尖端光刻设备的通道，包括阿斯麦（ASML）的高数值孔径（High-NA）EUV光刻系统。这一先进设备可实现单次曝光分辨率低至8纳米的芯片图形化能力，对于制造下一代半导体器件至关重要。

纽约州政府已承诺投入10亿美元支持该中心的未来发展，其中包含采购阿斯麦的下一代EUV设备（预计2026年交付）。此外，州政府还计划新建一座名为“纳米技术反射”（NanoFab Reflection）的大楼，提供约4645平方米（50,000平方英尺）的洁净室空间。

此次扩建预计将创造多达600个工会工作岗位，并将同时支持国家国防项目和先进封装技术研发。

该中心的建立是纽约州与IBM、美光（Micron）和应用材料（Applied Materials）等公司100亿美元合作计划的延续。此前（2024年），奥尔巴尼已被联邦政府指定为《芯片法案》下的首个旗舰研发基地。NSTC的其他类似设施正在加利福尼亚州和亚利桑那州建设中。

NSTC的成员联盟汇聚了全球顶尖科技公司和知名学府，包括苹果（Apple）、谷歌（Google）、台积电（TSMC）、英特尔（Intel）、IBM、英伟达（Nvidia），以及麻省理工学院（MIT）、亚利桑那州立大学（ASU）和普渡大学（Purdue University）等。该中心还将大力支持本土芯片产业人才的培养与输送通道建设。