Eulitha实现100nm周期光栅加工：微纳光学领域的创新突破

近日，瑞士Eulitha公司宣布在微纳光学领域的一项重大技术突破——100nm周期光栅加工工艺。该成果在极限分辨率这一指标上，实现了 DTL  对非浸没投影式 DUV 光刻的超越。

Eulitha 产品进入中国市场十年，一直与行业头部企业和研究所密切合作。Phable^TM现有三款设备均为客户提供DUV光源选项，无论哪款设备都可以利用更短波长进行更精密的光学加工。Phable^TM利用DTL（Displacement Talbot Lithography）光学原理，突破衍射极限，加工分辨率可以达到60 nm 。

随着微纳加工行业发展越来越迅速，客户不再满足于当前制程节点，市场也需要更精密的均匀光栅产品来支撑优秀的光学质量。Eulitha 团队持续优化设计，终于成功再次突破ArF光源极限，将Phable^TM系列光刻机分辨率下探到50nm。

以下图片展示了在瑞士实验室打造的样品，我们成功地利用定制化系统制造出了100 nm 周期的高精度光栅结构，超越了非浸没式DUV 光刻的极限分辨率。这一结果充分证明了我们的技术和工艺在高精度光栅制造方面的卓越性能。

图1. 100nm 周期光栅

100nm周期光栅加工工艺相当于分辨率可以达到50nm，这在微纳光学加工中具有极高的难度。目前，实现50nm分辨率的图形化方案主要有以下几种：

• 电子束光刻：以高精度和高灵活性应用著称，多用于产品试验阶段；受限于低产能，电子束光刻难以应用于大规模量产；

• 浸没式DUV光刻：浸没式DUV光刻机通过改变光传播介质折射率，提高光学NA，得到更高的分辨率。但这意味着高昂的设备成本，和更高的工艺要求；

• EUV光刻：EUV 可以实现远超50 nm 的分辨率，但其成本和工艺更加昂贵、苛刻，在50 nm 这一分辨率没有性价比；

• 纳米压印：纳米压印技术可以实现较高分辨率的图案，但受限于工艺良率，50 nm 分辨率对纳米压印有很高的挑战；