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202608-北京天科合达半导体股份有限公司-第三代半导体碳化硅衬底产业化基地一期改造项目

  • 2026年09月
202608-北京天科合达半导体股份有限公司-第三代半导体碳化硅衬底产业化基地一期改造项目
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项目建设背景及特点

北京天科合达半导体股份有限公司(简称“天科合达”)成立于 2006 年 9 月,总部位于北京市大兴区,是国内率先从事第三代半导体碳化硅单晶衬底及相关产品研发、生产和销售的国家级高新技术企业之一,也是国内碳化硅单晶衬底领域生产规模较大、产品种类较全的碳化硅衬底供应商,并于 2021 年被工信部认定为专精特新“小巨人”企业。

北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区 0605-022B 地块,于 2020 年 6 月 3日取得北京市生态环境局的环评批复(批复文号:京环审〔2020〕72 号),2022年 11 月 10 日完成了竣工环境保护自主验收。项目总占地面积 33687.914m2,建筑面积 55167.71m2,包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、科研与办公用房、食堂及宿舍楼等。现该地块内的建设项目称为一期工程,以下简称“一期工程”。

2024 年天科合达在位于一期工程西侧的北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C 地块,开始筹建第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目,以下简称“二期工程”。二期工程于 2024 年 10 月 31 日取得北京市生态环境局的环评批复(批复文号:京环审〔2024〕117 号)。目前二期工程正处于建设期,未建成。

碳化硅衬底材料是制造碳化硅功率半导体器件的基材,随着国内 5G 基站、新能源汽车、轨道交通、分布式新能源以及智能电网等“新基建”领域呈现井喷式增长,8 英寸碳化硅衬底需求量增大,但目前市场 8 英寸衬底供应不足。公司二期工程的建设周期较长,为了更好地服务市场需求,同时也为二期工程 8 英寸碳化硅衬底规模化生产积累经验,北京天科合达半导体股份有限公司拟在一期工程现有厂房内进行改造,对现有 6 英寸衬底生产线设备进行调整,同时增加一条 8英寸衬底中试研发线。

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