力传感器
产品介绍
单芯片力传感器MEMS芯片上4个压敏电阻构成惠斯通电桥结构，当外界有力作用在器件上，器件发生变形，压敏电阻阻值随之发生变化；由于电阻摆放位置的不同，压敏电阻的阻值也相应的有不同的变化，惠斯通电桥产生模拟差分信号输出。
产品特点：
单芯片力传感器MEMS芯片上4个压敏电阻构成惠斯通电桥结构，当外界有力作用在器件上，器件发生变形，压敏电阻阻值随之发生变化；由于电阻摆放位置的不同，压敏电阻的阻值也相应的有不同的变化，惠斯通电桥产生模拟差分信号输出。
集成式力传感器在单颗封装体内集成MEMS力传感器芯片及信号处理ASIC芯片，ASIC实现信号放大、ADC转换、信号处理，并且在有按压动作时，在INT脚输出中断信号。集成式力传感器在出厂前每颗器件都经过校准，保证输出一致性；在整机应用时，通过I2C接口配置阈值寄存器，主控可以针对不同机型灵活设置不同的按压阈值，同时也可以实现清零的功能，以消除装配时的预压力。
产品型号：
| 产品型号 | 尺寸(mm) | 灵敏度 | 输出方式 | 安装方式 | 是否需要橡胶垫 |
| MST701 | 0.8x0.8x0.1 | 30 mV/N | 模拟差分 | 单面贴装/双面固定 | Yes/No |
技术参数：
| Parameter | Symbol | Min. | Typ. | Max. | Unit |
| Supply Voltage | VOP | 2.9 | 3.3 | 3.7 | V |
| Supply Current(2) | IOP | 500 | 800 | mA | |
| Contact Force | FZ | 100 | N | ||
| Offset | VOUT,0 | -30 | 30 | mV | |
| Sensitivity | SENS | 30 | mV/N | ||
| Temperature Coeff. Of Offset | TCO | -0.1 | %FS/°C | ||
| Temperature Coeff. Of Sensitivity | TCS | 2000 | ppm | ||
| Response Time | TRESP | 5 | ms | ||
| Linearity | LIN | 5% | |||
| Repeatability | REP | 5% | |||
| Operating Temperature | TOP | -20 | 70 | °C |
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