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中北大学高品质铌酸锂微纳器件加工服务竞价公告

2026-10-20
高品质铌酸锂微纳器件加工服务竞价公告
招标公告
能源化工
学校采购
发布日期:2026-10-20查看原文
高品质铌酸锂微纳器件加工服务竞价公告

项目名称高品质铌酸锂微纳器件加工服务项目编号ZBDXJC-2026108
公告发布日期2026/10/20 08:50公告截止日期2026/10/23 08:50
采购单位中北大学付款条款分期付款:本合同生效后的 15 日内,甲方向乙方支付合同金额的40%;货物交付给甲方并完成安装、调试、培训等服务以确保甲方正常使用后,甲方按照内部规章制度的要求验收合格后,乙方按照甲方的要求开具相应金额的发票,甲方在收到发票后向乙方支付剩余合同金额。乙方未按期开具或者所开具的发票不符合约定的,甲方有权延期付款,不构成违约。
联系人中标后在我参与的项目中查看联系手机中标后在我参与的项目中查看
是否需要踏勘否
踏勘联系人踏勘联系电话
踏勘地点踏勘联系时间
采购预算¥264,000.00
送货/施工/服务期限合同签订后40天内
送货/施工/服务地址山西省太原市尖草坪区学院路三号中北大学
履约保证金合同金额的5%作为保证金
项目概况本项目面向高精度传感与集成光子学需求,开展薄膜铌酸锂折叠型电光调制器及高Q值光学微腔的研制与加工。铌酸锂具有优异的电光、非线性及宽透明窗口特性,是实现高性能片上传感与信号调控的关键材料。项目拟通过折叠波导结构减小调制器尺寸、降低驱动电压并提升调制效率;通过高Q微腔增强光与物质相互作用,提升传感灵敏度、分辨率和探测极限,服务于生化检测、电场/磁场传感、惯性传感及微弱信号探测等应用。研究内容包括器件版图设计、电子束光刻、ICP-RIE刻蚀、PECVD沉积、金属电极、退火、划切抛光与端面耦合等关键工艺。器件对侧壁粗糙度、刻蚀深度、薄膜损耗及工艺一致性要求极高,加工质量直接决定Q值、插损和传感性能。因此需采购专业微纳加工外协服务,完成高精度加工与工艺迭代,保障项目指标与进度。


采购清单
1
采购内容是否进口计量单位采购数量售后服务及其他要求
薄膜铌酸锂调制器流片加工服务否片101. 验收后 ≥ 12 个月技术答疑;校方版图/数据不得用于其他客户。 2.供应商具备合法有效的营业执照,经营范围涵盖相关微纳加工工艺。
参考品牌及型号不限定品牌型号
技术参数要求1. 1)LN 薄膜厚度 300/600 nm ,刻蚀深度误差 ≤ ±15 nm ,侧壁倾角 ≥ 70°(优值 ≥ 80°) ; 2. 2)单模波导损耗 ≤ 0.6 dB/cm ,优值 ≤ 0.3 dB/cm; 3. 3)端面耦合器单端插损 ≤ 1.5 dB/facet ,1 dB 带宽 ≥ 100 nm; 4. 4)热调电极 π 相移功耗 ≤ 50 mW ,时间常数 ≤ 20 μs ,相邻通道热串扰 ≤ - 15 dB; 5. 5)MZM 调制器交互长度 ≥ 10 cm ,分段电极有效电场放大倍数 > 20; 6. 6)电光 3 dB 带宽 ≥ 40 GHz ,Vπ·L ≤ 3 V·cm ,消光比 ≥ 25 dB; 7. 7)行波电极特征阻抗 50 ± 5 Ω , S11 ≤ - 10 dB @ DC–40 GHz ,S21 ≤ 3 dB @ 40 GHz; 8. 8)微腔 FSR < 20 GHz ,本征 Q ≥ 1×10(目标 2×10) ; 9. 9)芯片尺寸 < 10 mm × 7 mm; 10. 10)EBL 最小线宽 ≤ 100 nm ,最小曝光间隙 ≤ 80 nm;i-line 最小线宽 ≤ 350 nm; 11. 11)交付工艺报告、SEM 、测试谱线及 ≥ 10 颗合格芯片; 12. 12)验收后 12 个月工艺技术支持,非校方设计错误导致的不达标提供一次免费复加工或按比例退款。

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