日本SAIMEMORY与新光电气工业签署ZAM下一代内存技术研发与商业化基本协议

2026年9月28日，SAIMEMORY株式会社（东京都港区，代表董事社长兼CEO：山口秀哉）与新光电气工业株式会社（Shinko Electric Industries Co., Ltd.，长野县长野市，代表董事社长CEO：仓嶋进）宣布，双方已就高密度、宽频带、低功耗的下一代内存技术“ZAM（Z-Angle Memory）”的研发及商业化签署基本协议。根据协议，双方将构建从研发到制造技术确立，乃至未来商业化的长期合作关系，推动日本原创的革新性下一代内存技术的社会落地。

ZAM的技术定位与开发背景

SAIMEMORY成立于2024年12月，是软银的100%子公司，公司名称中的“SAI”源自汉字“才”，寓意“天才”或“天赋”。SAIMEMORY正在NEDO（新能源产业技术综合开发机构）“后5G信息通信系统基础强化研发事业/先进半导体制造技术开发（补助）”项目中担任代表实施方，推进ZAM的研发。

NEDO选定的ZAM开发项目概览，来源：SAIMEMORY

ZAM的核心技术基础来自Intel。Intel在美国能源部支持下推进的“先进内存技术（AMT）”项目和“下一代DRAM键合（NGDB）”倡议中积累了技术验证经验，SAIMEMORY利用这些成果推进革新性内存架构与制造技术的开发。根据IEEE发表的论文，ZAM采用垂直切片拓扑结构，结合通孔一体键合工艺和电感I/O边缘连接，实现了相比HBM等平面堆叠DRAM更高的密度、更好的良率和更优的热性能。通过为每个独立切片提供连续的热传导路径，并消除各DRAM层对硅通孔的需求，ZAM解决了当前内存堆叠方式的核心限制。

ZAM的命名源于Z轴，意指其芯片采用垂直堆叠方式。与传统HBM将DRAM平行堆叠不同（配线层阻碍散热，约20层为堆叠极限），ZAM将DRAM垂直竖立并横向排列，从根本上解决了散热瓶颈，理论上消除了堆叠层数的上限，同时结合磁场耦合无线通信I/O等技术，实现高密度、宽频带和低功耗。

新光电气工业在合作中的角色

新光电气工业是半导体封装领域的综合制造商，创立于1946年，在半导体封装基板的设计与制造技术以及高密度实装技术方面拥有长期积累。公司将基于这些技术积累，通过与SAIMEMORY的合作，参与ZAM研发及商业化所需的实装技术和制造技术的确立工作。

新光电气工业的主要业务涵盖塑料层压封装、引线框架、玻璃端子、散热片、陶瓷静电吸盘等产品的制造与销售，以及IC组装。其在半导体封装领域的技术能力，将直接服务于ZAM从研发阶段向量产制造阶段的过渡。

目标应用与商业化时间表

ZAM的目标应用场景是大规模AI模型的训练和推理所需的数据中心。当前AI数据中心面临的核心问题是，GPU等计算芯片处理的海量数据需要内存在反复读写中完成搬运，这一过程的功耗已成为数据中心电力消耗的主要来源之一。ZAM旨在通过高密度、宽频带、低功耗的特性，提升数据处理性能并降低功耗。

根据SAIMEMORY的规划，ZAM原型产品计划于2027财年完成研发，2029财年实现商业化。软银计划在2027财年原型研制阶段投资约30亿日元，理化学研究所和富士通也参与开发并各出资5亿日元，其余部分预计依靠政府补助。理化学研究所于2026年3月对SAIMEMORY进行了出资，并作为共同研究方参与ZAM性能评价环境的设计与开发。

双方表态

SAIMEMORY代表董事社长兼CEO山口秀哉表示：“随着AI的进化，对高性能且低功耗下一代内存的期待日益高涨。此次能与新光电气工业就构建从研发到商业化的合作伙伴关系达成共识，令人倍感振奋。我们将融合两家公司的技术与知识，加速日本原创的革新性下一代内存技术‘ZAM’的实用化，同时致力于确立在国内外市场具有竞争力的内存技术。”

新光电气工业代表董事社长CEO仓嶋进表示：“在AI进一步进化和数字化进程中，内存技术是支撑其发展的重要基础技术之一。此次能与推进革新性下一代内存技术‘ZAM’研发的SAIMEMORY达成合作共识，我们深感欣喜。SAIMEMORY与我司将合力汇聚日本积累的技术与知识，推进下一代内存的社会落地，为以AI为代表的先进数字社会发展做出贡献。”

来源：SAIMEMORY株式会社、新光电气工业株式会社新闻稿（2026年9月28日）