英特尔加码光掩模制造：圣克拉拉新厂瞄准先进制程与EUV光刻

英特尔已在加利福尼亚州圣克拉拉市一座新的光掩模制造设施破土动工。

这座新设施将扩展英特尔位于圣克拉拉 Bowers 园区的现有光掩模制造业务。多年来，该公司的内部掩模制造部门——Intel Mask Operations（IMO，英特尔掩模运营部门）——一直在 Bowers 园区生产光掩模。

IMO 位于 Bowers 园区的新设施预计占地面积为 10.7 万平方英尺。未来某个阶段，该新设施将生产用于极紫外（EUV）光刻的先进制程光掩模。

光掩模有时也被称为掩模或掩模版，是半导体制造流程中的重要组成部分。据英特尔介绍，掩模是芯片生产中的关键环节，因为它们负责将电路图形转移到硅晶圆上。

此外，除了圣克拉拉之外，IMO 还在俄勒冈州希尔斯伯勒的一座设施内制造掩模。IMO 主要为英特尔的内部需求生产光掩模，同时也为英特尔的晶圆代工部门制造掩模。

IMO 生产的掩模覆盖范围广泛，涵盖从 32nm 到 1.4nm 节点的制程。该部门还生产 EUV 掩模，包括用于低数值孔径和高数值孔径 EUV 的掩模版。

英特尔晶圆代工副总裁兼 IMO 总经理 Frank Abboud 表示：“几十年来，圣克拉拉一直是英特尔多项重要制造创新的所在地。通过扩展 Bowers 园区的掩模业务，我们正在强化一项关键能力，该能力支持全球先进制程技术的生产，并进一步体现英特尔晶圆代工在推动美国半导体制造领导地位方面的承诺。”