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上海是我国半导体产业的基地，也是手机、汽车等产业重要的企业聚集地，这些有利条件为MEMS产业提供理想的发展环境和空间。在此背景下，SITRI与国际领先的晶圆厂密切合作，构建起了覆盖8英寸的“超越摩尔”（More than Moore）研发中试线，提供从研发到量产的全程服务，打造完整的“超越摩尔”产业链，推动“超越摩尔”技术的快速发展。
SITRI的工艺研发平台以“超越摩尔”8英寸研发中试线为基础，该线作为国内首条、世界领先的工艺研发平台已于2017年11月正式启动运行，可进行各种MEMS产品的研发和小批量生产。研发中试线近5000平方米的洁净室，可以全面开展表面硅、体硅、3D微纳加工技术以及新工艺、新器件、新系统的研发和量产；具有MEMS、硅光、生物芯片等相关工艺的生产和评价设备，大幅提升产品研发的成功率，实现产品从研发到量产的无缝衔接，从而打造MEMS及其它“超越摩尔”技术从研发到量产的高效平台；同时，SITRI积极在设备与材料领域开展战略布局，打造设备材料研发合作平台。目前，8英寸研发中试线已完成了ISO9001质量体系认证、ISO14001环境管理体系、ISO45001职业健康安全管理体系，并建立了完善的客户IP信息保护规范。在与客户的产品合作开发模式上，通过联合研发，工艺整合与开发，生产对接，项目培育等多种创新形式，缩短研发与制造周期，加快产品迭代，推动科技成果的转化与产业化。
图：共性技术平台
为更好服务“超越摩尔”产业，快速提升产品设计和工艺能力，SITRI组建了工程服务团队，为创新企业及研究机构提供世界领先水平的分析测试服务。 通过使用先进的分析测试设备对产品进行系统分析测试，SITRI提供电子产品系统分析，工艺分析，电路分析，MEMS晶圆测试，MEMS成品测试，IC晶圆测试和IC成品测试等服务。工程服务同样适用于知识产权领域，支持专利分析，专利管理和专利诉讼。
系统分析
SITRI对包括智能手机、可穿戴设备、智能家居技术和其他智能终端在内的各类产品进行拆解分析，提供有价值的参考信息。SITRI完整的产品分析数据库为创新企业及研究机构提供专业分析服务。
工艺分析
工艺分析能够帮助客户全面了解芯片的封装设计、生产制造和材料构成等各方面的信息。服务覆盖MEMS, RF, Power，光学电子等技术领域，包括半导体工艺，材料构成以及封装技术三方面的内容，为客户提供解决方案。
SITRI拥有丰富的经验，能够处理BGA封装，LGA封装，QFN封装，陶瓷封装和倒扣芯片等各种封装类型；采用相应的物理和化学手段，对芯片进行去层处理，铜材质芯片层数多达11层，最小线宽更可达到22纳米级; 可通过先进的SEM，OM，IR拍摄设备对芯片逐层拍照，并借助我们自主研发的软件RCAD对照片进行拼接。
工艺分析服务主要包括：
电路分析
电路分析是集成电路反向分析中要求最高、最具技术含量的一项。通过SEM,OM拍摄设备对芯片逐层拍照，并借助SITRI自主研发的软件RCAD对照片进行拼接、器件连接关系提取，保证了器件识别的正确率。SITRI在MEMS、Power、RF、ADC/DAC、PA等方面均具有优秀的电路分析能力，提供从样品制备，图像采集，网表提取以及电路分析全流程服务。
MEMS晶圆级测试
随着智能终端产品的广泛应用，MEMS传感器的市场需求也越来越大，为了提高良率，MEMS晶圆阶段的测试变得越来越重要，尤其是MEMS晶圆级动态参数的测试需求越来越急迫。SITRI引进STI3000动态晶圆级测试系统，通过一个驱动电压在晶圆上驱动MEMS移动，从而测量由此产生的相关各种特性。配合8英寸自动探针台，可测试4/6/8英寸MEMS晶圆。
可测MEMS类型：
可测参数：
MEMS产品测试
SITRI提供完整的MEMS产品测试服务，包括测试方案制定、程序开发、硬件设计和批量测试等服务，可测封装尺寸范围1mm*1mm~5mm*5mm。
可测MEMS类型：
可测参数：
模拟及混合信号测试
SITRI支持模拟信号及混合信号集成电路产品各种性能参数测试。测试程序开放式可供编译，灵活多变的测试电路，高精度多工位测试，可满足产品研发及工程量产需求。
可测器件类型：
可测参数：
工作电压，工作电流，静态电流，参考电压，参考电流，导通电阻，阈值电压，工作频率，响应时间，开关时间，失调电压，增益。
功率器件测试
SITRI可测试集成化的功率器件的所有静态及动态参数。友好简单的测试程序操作界面，无需额外开发，测试结果及测试波形曲线实时反馈，测试规范遵循国际标准IEC-60747-9。
可测功率器件类型：
可测量的参数：
SITRI以MEMS传感器、硅光、生物光电子工艺平台等为核心，提供建模设计、工艺/流片、封测、产品设计及IP布局等全流程服务，为超越摩尔领域的创新创业提供低成本、低风险和高附加值的技术支持，加快产品面世和技术迭代周期。
MEMS 设计实现：提供微型传感器及相关接口电路的一站式服务，从设计规画、仿真、制程整合设计、版图制作、面型/体型微加工、封装样品制作至测试解决方案，快速完成原型、试产和体量生产规模；提供全方位MEMS领域的技术咨询，开放制程整合等平台，协助客户快速导入设计。
RF设计实现：基于世界一流RF-SOI工艺，RF设计服务有能力为合作伙伴提供RF开关、低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）等射频器件的设计实现，帮助合作伙伴建立独立设计能力。
SoC设计实现：基于首款通用32位元超低功耗MCU芯片为设计平台，实现物联网传感器采集、链接、系统集成的一站式设计实现。
制造全流程服务
SITRI的技术专家可帮助客户评估其专利，为客户提供有价值的战略规划工具。SITRI强大的产业研究能力，可以详细分析客户的专利与市场上其他现有产品的关系从而帮助提升专利的市场价值。
SITRI具有强大的测试与技术分析能力，提供的专利分析服务广泛用于专利发明的证据获取，包括对封装、工艺、电路及系统的专利分析。
依托对产业链的深入了解及商务运营经验， SITRI最大化企业知识产权收益， 力争将知识产权部门从成本中心转变成利润中心。
截止目前，SITRI累计申请专利866项，其中发明专利686项，PCT（国际专利）专利55项。
