国家高性能医疗器械创新中心是由工信部组建的全国唯一生物医疗领域制造业创新中心,其下属微纳加工平台,拥有10余台套先进设备,可实现光刻、镀膜、深硅刻蚀、切割研磨、封装检测等全系列工艺。平台拥有经验丰富的MEMS产品设计、制造和测试团队,可向企业提供全链条微纳加工代工服务。
应用材料:硅片,玻璃,蓝宝石,柔性材料等;
接触式光刻:最小图形尺寸:0.6μ,套刻精度:±0.2μ;
双面对准光刻:对准精度:正面对准,套刻精度:≤±0.2μm;背面对准,套刻精度:≤±1.0μm;
应用材料:硅、氧化硅、氮化硅、多晶硅等材料;
● 深硅刻蚀(DRIE):刻蚀均匀性<±5%,硅光刻胶选择比>80:1;硅氧化硅选择比>100:1,粗糙度:<200nm;
● 反应离子刻蚀(RIE):可刻蚀Si,SiO₂,晶硅,SiNx等;
硅硅键合:硅片与硅片,硅片与二氧化硅键合;
阳极键合:适用于硅片与玻璃、金属与玻璃、半导体与合金、半导体与玻璃间等的键合;
共晶键合:适用于PbSn,AuSn,CuSn,AuSi等材料;
临时键合:适用于PI,SU8等键合专用胶;
金属磁控溅射:Au/Pt,铝,铜等金属,片内一致性<5%,根据用户需求可达到<1%;
非金属磁控溅射:氧化硅等非金属,片内一致性<5%,根据用户需求可达到<1%;
适用尺寸:4寸、6寸;
等离子体增强化学气相沉积(PECVD):可低温生长SiO2 ,SiN温度最低温度130度;
低压化学气相沉积(LPCVD):生长氮化硅多晶硅,每炉25片;片内不均匀性≤3%;片间不均匀性≤3%;批间不均匀性≤3%;低应力SiO2,SiN。
相关工艺可无障碍转移到量产设备上进行生产;直径100mm以下面积,高精度、高深宽比纳米压印;适用于各种纳米压印材料,斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺,帮助客户零门槛达到高质量的纳米压印水平;
压印精度:优于10纳米;
结构深宽比:优于10:1。
硅基底:厚度100-700μm;晶圆尺寸:2寸、4寸、6寸、8寸;
刀片切割:Si,Ge,玻璃,石英,陶瓷,电路板切割;软刀、硬刀;
打孔:各种材质;微米级孔径;激光烧蚀。
适用材料:Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等;
均匀性:±2um;
抛光:Si,GaAs,GaN,InP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等;
表面粗糙度:1-50nm。
点胶:
自动点胶;
贴片:
自动贴片,定位精度5微米;
倒装焊
引线键合:
焊点大小:30微米;PAD间距:40微米;金线直径:25~50um;
硅片清洗:
有机清洗、无机清洗;
测试设备:
光学显微镜、台阶仪、电镜SEM以及电学、声学测试等。