三星与 S&S Tech 联合申请 EUV 薄膜专利

图片来源：三星

据悉，空白掩模制造商 S&S Tech 和三星已在韩国提交了与极紫外 (EUV) 防护薄膜（Pellicle）框架相关的联合专利。

专利号为1020240030406的专利，名为“用于光刻技术的光掩模上的防护膜附件的框架组件”，于去年3月提交，但具体细节直到最近才公布。该专利尚未注册。这是S&S Tech与其他公司共同申请的第一项专利。

Pellicle 是一种超薄透明薄膜，用于在芯片生产过程中保护光掩模。 

在光刻过程中，当在晶圆上绘制电路图案时，防护膜可以防止颗粒和杂质聚集在掩模表面。防护膜厚度仅为纳米级，必须具有高透光率，并能耐受高温和等离子环境。

该专利描述了如何使用磁性框架组件将防护薄膜附着到光掩模上。

利用磁力将螺柱固定在框架下方的光掩模和夹具上。这意味着防护膜将立即与光掩模对齐。根据该专利，框架也易于拆卸和回收。粘合剂的最低使用量也意味着减少了气体的释放。

8 月份，S&S Tech 表示正在投资新设施，以扩大 EUV 空白掩模和 EUV 防护膜的产量。

空白掩模是在其上绘制电路图案之前的掩模，这将使它们变成光掩模。

目前，三星的大部分EUV空白掩模都通过日本供应商Hoya供应。通过与S&S Tech的合作，这家韩国科技巨头计划在年内实现部分EUV空白掩模生产的本地化。

这家芯片巨头还在考虑让S&S Tech和FST作为EUV光罩的供应商。三星已与FST于2024年共同注册了EUV光罩粘合剂专利。

尽管三星在其先进的芯片生产中使用了 ASML 的 EUV 设备，但迄今为止在 EUV 工艺中尚未使用任何防护膜。